Hersteller Produktnummer:
FCA36N60NF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCA36N60NF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventar:
12850149
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Menge
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FCA36N60NF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
FRFET®, SupreMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4245 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
312W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PN
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FCA36N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Andere Namen
488-FCA36N60NF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK31J60W,S1VQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
25
TEILNUMMER
TK31J60W,S1VQ-DG
Einheitspreis
4.32
ERSATZART
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