FCH165N60E
Hersteller Produktnummer:

FCH165N60E

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FCH165N60E-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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FCH165N60E Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2434 pF @ 380 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH165

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FCH165N60E
HTML-Datenblatt
FCH165N60E-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
FCH165N60E-DG
FCH165N60EOS
2156-FCH165N60E

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IPW60R180C7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
218
TEILNUMMER
IPW60R180C7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.58
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