Hersteller Produktnummer:
FCH165N65S3R0-F155
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCH165N65S3R0-F155-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
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FCH165N65S3R0-F155 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
154W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
FCH165
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Andere Namen
2156-FCH165N65S3R0-F155
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW28N60DM2
HERSTELLER
STMicroelectronics
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0
TEILNUMMER
STW28N60DM2-DG
Einheitspreis
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Direct
DIGI-Zertifizierung
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