Hersteller Produktnummer:
FCP190N65S3R0
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP190N65S3R0-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12837547
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FCP190N65S3R0 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperFET® III
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1350 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
144W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP190
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
488-FCP190N65S3R0TR
488-FCP190N65S3R0CT
488-FCP190N65S3R0DKRINACTIVE
FCP190N65S3R0-DG
488-FCP190N65S3R0DKR-DG
488-FCP190N65S3R0DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFP22N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFP22N65X2-DG
Einheitspreis
2.43
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