Hersteller Produktnummer:
FCP850N80Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCP850N80Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
766 Stück Neu Original Auf Lager
12847323
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FCP850N80Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1315 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FCP850
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2156-FCP850N80Z-OS
ONSONSFCP850N80Z
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP4N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
232
TEILNUMMER
IXTP4N65X2-DG
Einheitspreis
1.12
ERSATZART
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