Hersteller Produktnummer:
FCPF190N65FL1-F154
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCPF190N65FL1-F154-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
971 Stück Neu Original Auf Lager
12955127
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FCPF190N65FL1-F154 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
FRFET®, SuperFET® II
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3055 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF190
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
488-FCPF190N65FL1-F154
2832-FCPF190N65FL1-F154
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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