Hersteller Produktnummer:
FCPF20N60T
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FCPF20N60T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12850475
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FCPF20N60T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
SuperFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FCPF20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP65R190E6XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
580
TEILNUMMER
IPP65R190E6XKSA1-DG
Einheitspreis
1.52
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