FCU2250N80Z

Hersteller Produktnummer:

FCU2250N80Z

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FCU2250N80Z-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

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12850644

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FCU2250N80Z Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

SuperFET® II

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

800 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

2.6A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

2.25Ohm @ 1.3A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4.5V @ 260µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

585 pF @ 100 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

39W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

I-PAK

Paket / Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis-Produktnummer

FCU2250

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1,800

Andere Namen

2166-FCU2250N80Z-488

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

Not Applicable

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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