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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FDB035N10A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB035N10A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
711 Stück Neu Original Auf Lager
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FDB035N10A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7295 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
333W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB035
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FDB035N10A
HTML-Datenblatt
FDB035N10A-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB035N10ATR
FDB035N10ACT
FDB035N10A-DG
FDB035N10ADKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN3R8-100BS,118
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
16656
TEILNUMMER
PSMN3R8-100BS,118-DG
Einheitspreis
1.54
ERSATZART
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Teilenummer
IPB120N10S403ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
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960
TEILNUMMER
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Einheitspreis
2.35
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Einheitspreis
1.89
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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