FDB060AN08A0
Hersteller Produktnummer:

FDB060AN08A0

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDB060AN08A0-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 16A (Ta), 80A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

1060 Stück Neu Original Auf Lager
12837704
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDB060AN08A0 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
255W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB060

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB060AN08A0DKR
2156-FDB060AN08A0-OS
FDB060AN08A0CT
FDB060AN08A0-DG
FDB060AN08A0TR
ONSFDB060AN08A0

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

AUIRL1404ZL

MOSFET N-CH 40V 160A TO262

onsemi

FDD6688S

MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK

infineon-technologies

BSO4822

MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

onsemi

FQD6N40TM

MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK