Hersteller Produktnummer:
FDB13AN06A0
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDB13AN06A0-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
3920 Stück Neu Original Auf Lager
12839248
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDB13AN06A0 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.9A (Ta), 62A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 62A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FDB13AN06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FDB13AN06A0-DG
FDB13AN06A0CT
FDB13AN06A0TR
FDB13AN06A0DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FQPF630
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
FQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
FDPF4D5N10C
MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
