Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Austria
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Austria
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FDBL0260N100
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDBL0260N100-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.5W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Inventar:
1980 Stück Neu Original Auf Lager
12848650
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDBL0260N100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9265 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HPSOF
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Basis-Produktnummer
FDBL0260
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FDBL0260N100
HTML-Datenblatt
FDBL0260N100-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
FDBL0260N100TR
FDBL0260N100-DG
FDBL0260N100DKR
FDBL0260N100CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPT020N10N3ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2232
TEILNUMMER
IPT020N10N3ATMA1-DG
Einheitspreis
4.25
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
AOL1240
MOSFET N-CH 40V 19A/69A ULTRASO8
AON6444L
MOSFET N-CH 60V 8DFN
AON7458
MOSFET N-CH 250V 1.5A/5A 8DFN
NTMFS5C645NLT3G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN