Hersteller Produktnummer:
FDBL0260N100
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDBL0260N100-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.5W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Inventar:
1980 Stück Neu Original Auf Lager
12848650
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FDBL0260N100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9265 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-HPSOF
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Basis-Produktnummer
FDBL0260
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
FDBL0260N100TR
FDBL0260N100-DG
FDBL0260N100DKR
FDBL0260N100CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPT020N10N3ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2232
TEILNUMMER
IPT020N10N3ATMA1-DG
Einheitspreis
4.25
ERSATZART
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