FDC6302P
Hersteller Produktnummer:

FDC6302P

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDC6302P-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

12836886
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FDC6302P Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11pF @ 10V
Leistung - Max
700mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-6
Basis-Produktnummer
FDC6302

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDC6302PDKR
2832-FDC6302PTR
FDC6302P-DG
FDC6302PCT
FDC6302PTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NTJD4152PT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
15411
TEILNUMMER
NTJD4152PT1G-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
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