Hersteller Produktnummer:
FDD5810-F085
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD5810-F085-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 7.4A (Ta), 37A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12851057
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FDD5810-F085 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.4A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1890 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
72W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD581
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD5810-F085TR
FDD5810_F085-DG
ONSONSFDD5810-F085
FDD5810_F085
FDD5810_F085DKR-DG
FDD5810_F085CT
FDD5810_F085DKR
FDD5810_F085CT-DG
FDD5810_F085TR-DG
FDD5810-F085CT
2156-FDD5810-F085-OS
FDD5810-F085DKR
FDD5810_F085TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TSM120N06LCP ROG
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
55476
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TSM120N06LCP ROG-DG
Einheitspreis
0.33
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