Hersteller Produktnummer:
FDD5N60NZTM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD5N60NZTM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
45384 Stück Neu Original Auf Lager
12850346
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDD5N60NZTM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
UniFET-II™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD5N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD5N60NZTM-DG
2156-FDD5N60NZTM-OS
ONSONSFDD5N60NZTM
FDD5N60NZTMTR
FDD5N60NZTMCT
FDD5N60NZTMDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDMS7676
MOSFET N-CH 30V 16A/28A 8PQFN
FQA6N90C-F109
MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
FQPF9N25
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO220F
