Hersteller Produktnummer:
FDD86250
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDD86250-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
1640 Stück Neu Original Auf Lager
12838703
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FDD86250 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2110 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FDD862
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD200N15N3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
51180
TEILNUMMER
IPD200N15N3GATMA1-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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