Hersteller Produktnummer:
FDFMA2P029Z
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDFMA2P029Z-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.4W (Tj) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventar:
12849466
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FDFMA2P029Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
720 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.4W (Tj)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-MicroFET (2x2)
Paket / Koffer
6-VDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
FDFMA2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2832-FDFMA2P029ZTR
FDFMA2P029ZDKR
FDFMA2P029ZCT
2832-FDFMA2P029Z-488
FDFMA2P029ZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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