FDG6306P
Hersteller Produktnummer:

FDG6306P

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDG6306P-DG

Beschreibung:

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventar:

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FDG6306P Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
600mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
114pF @ 10V
Leistung - Max
300mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
SC-88 (SC-70-6)
Basis-Produktnummer
FDG6306

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDG6306P-DG
ONSONSFDG6306P
FDG6306PTR
FDG6306PCT
FDG6306PDKR
2156-FDG6306P-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NTJD4152PT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
15411
TEILNUMMER
NTJD4152PT1G-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
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