Hersteller Produktnummer:
FDI045N10A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDI045N10A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12846600
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Menge
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FDI045N10A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
263W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
FDI045
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDI045N10A-F102
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
475
TEILNUMMER
FDI045N10A-F102-DG
Einheitspreis
1.84
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
IPI045N10N3GXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
894
TEILNUMMER
IPI045N10N3GXKSA1-DG
Einheitspreis
1.32
ERSATZART
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