Hersteller Produktnummer:
FDMC4435BZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMC4435BZ-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventar:
11065 Stück Neu Original Auf Lager
12851191
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FDMC4435BZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2045 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.3W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
FDMC4435
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FSCFDMC4435BZ
FDMC4435BZTR
FDMC4435BZDKR
FDMC4435BZCT
2156-FDMC4435BZ-OS
2832-FDMC4435BZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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