FDMC86139P
Hersteller Produktnummer:

FDMC86139P

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDMC86139P-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 4.4A (Ta), 15A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventar:

12847091
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FDMC86139P Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Ta), 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1335 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.3W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
FDMC86139

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMC86139PCT
2832-FDMC86139PTR
2156-FDMC86139P-OS
ONSONSFDMC86139P
FDMC86139PTR
FDMC86139PDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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