Hersteller Produktnummer:
FDMS0309AS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMS0309AS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
5988 Stück Neu Original Auf Lager
12836884
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDMS0309AS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®, SyncFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Ta), 49A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3000 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
FDMS03
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
1990-FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR-DG
FDMS0309ASCT-DG
FDMS0309ASDKR-DG
FDMS0309ASCT
FDMS0309ASTR
1990-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASCT
488-FDMS0309ASDKR
488-FDMS0309ASTR
FDMS0309ASDKR
1990-FDMS0309ASTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDBL86361-F085
MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
FDW256P
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
FDMC007N08LC
MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
