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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FDMS4D4N08C
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMS4D4N08C-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 123A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Inventar:
3657 Stück Neu Original Auf Lager
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FDMS4D4N08C Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
123A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4090 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6), Power56
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
FDMS4D4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FDMS4D4N08C
HTML-Datenblatt
FDMS4D4N08C-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-FDMS4D4N08C-488
488-FDMS4D4N08CCT
488-FDMS4D4N08CDKR
FDMS4D4N08C-DG
488-FDMS4D4N08CTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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