Hersteller Produktnummer:
FDMS7672AS
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMS7672AS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12848271
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FDMS7672AS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®, SyncFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2820 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 46W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
FDMS7672
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMS7672AS-DG
2266-FDMS7672AS
2156-FDMS7672AS-OS
FDMS7672ASTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RS1E200GNTB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
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2460
TEILNUMMER
RS1E200GNTB-DG
Einheitspreis
0.26
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