FDMS8672AS
Hersteller Produktnummer:

FDMS8672AS

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDMS8672AS-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventar:

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FDMS8672AS Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2600 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
FDMS86

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDMS8672AS
HTML-Datenblatt
FDMS8672AS-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMS8672ASDKR
FDMS8672ASCT
FDMS8672ASTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
BSC016N03LSGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4869
TEILNUMMER
BSC016N03LSGATMA1-DG
Einheitspreis
0.64
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Teilenummer
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cr
certification_015
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esd
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