Hersteller Produktnummer:
FDMT80080DC
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDMT80080DC-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 36A (Ta), 254A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88
Inventar:
6688 Stück Neu Original Auf Lager
12839668
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDMT80080DC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Dual Cool™, PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Ta), 254A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
273 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
20720 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-Dual Cool™88
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
FDMT80080
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDMT80080DCDKR
FDMT80080DCCT
FDMT80080DCTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FQU2N50BTU-WS
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
FDS86140
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
FDB9406-F085
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
