Hersteller Produktnummer:
FDN327N
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDN327N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
24521 Stück Neu Original Auf Lager
12847354
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDN327N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
423 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
FDN327
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
FDN327N-DG
FDN327NCT
FDN327NTR
FDN327NDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDS7064N7
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8SO
FDN338P
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDS4435A
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
