Hersteller Produktnummer:
FDP12N50NZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP12N50NZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12836961
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FDP12N50NZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET-II™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 5.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1235 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
ONSONSFDP12N50NZ
488-FDP12N50NZ
2156-FDP12N50NZ-OS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP11NK50Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
826
TEILNUMMER
STP11NK50Z-DG
Einheitspreis
1.27
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