Hersteller Produktnummer:
FDP150N10A
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP150N10A-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12848319
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FDP150N10A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1440 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
91W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP150
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB4510PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1965
TEILNUMMER
IRFB4510PBF-DG
Einheitspreis
0.55
ERSATZART
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FDP150N10A-F102
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
223
TEILNUMMER
FDP150N10A-F102-DG
Einheitspreis
1.03
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
PSMN7R0-100PS,127
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
4441
TEILNUMMER
PSMN7R0-100PS,127-DG
Einheitspreis
1.38
ERSATZART
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