Hersteller Produktnummer:
FDP42AN15A0
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDP42AN15A0-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 5A (Ta), 35A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12847631
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FDP42AN15A0 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2150 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FDP42
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
FDP42AN15A0FS
FDP42AN15A0-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB5615PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2529
TEILNUMMER
IRFB5615PBF-DG
Einheitspreis
0.79
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