Hersteller Produktnummer:
FDPF7N60NZT
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDPF7N60NZT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
12846482
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FDPF7N60NZT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
UniFET-II™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 3.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
730 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FDPF7
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-FDPF7N60NZT-488
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TSM10NC65CF C0G
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
1
TEILNUMMER
TSM10NC65CF C0G-DG
Einheitspreis
1.63
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