FDS3612
Hersteller Produktnummer:

FDS3612

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDS3612-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 3.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

12839642
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDS3612 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
632 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FDS36

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
panasonic

2SK302500L

MOSFET N-CH 60V 30A U-DL

onsemi

SFT1341-TL-E

MOSFET P-CH 40V 10A DPAK/TP-FA

onsemi

FQP6N90C

MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3

onsemi

FQP6N80C

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3