Hersteller Produktnummer:
FDS4935BZ
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDS4935BZ-DG
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
10800 Stück Neu Original Auf Lager
12837596
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FDS4935BZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1360pF @ 15V
Leistung - Max
900mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
FDS49
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDS4935BZDKR
2832-FDS4935BZTR
2156-FDS4935BZ-OS
FDS4935BZCT
FAIFSCFDS4935BZ
FDS4935BZTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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