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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FDS7066ASN3
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDS7066ASN3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 19A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventar:
Angebot Anfrage Online
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FDS7066ASN3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2460 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO FLMP
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Basis-Produktnummer
FDS70
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FDS7066ASN3
HTML-Datenblatt
FDS7066ASN3-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
FDS7066ASN3TR-NDR
FDS7066ASN3CT
FDS7066ASN3_NLTR-DG
FDS7066ASN3_NLTR
FDS7066ASN3TR
FDS7066ASN3_NL
FDS7066ASN3CT-NDR
FDS7066ASN3_NLCT-DG
FDS7066ASN3DKR
FDS7066ASN3_NLCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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