FDT3612
Hersteller Produktnummer:

FDT3612

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FDT3612-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 3.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Inventar:

20218 Stück Neu Original Auf Lager
12837941
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDT3612 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
632 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-4
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
FDT36

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
FDT3612TR
FDT3612CT
FDT3612DKR
2156-FDT3612-OS
FDT3612-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FQU1N80TU

MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

onsemi

FQPF2N80

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

infineon-technologies

AUIRF4905S

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

onsemi

2SK4099LS-1E

MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS