Hersteller Produktnummer:
FJN3303RTA
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJN3303RTA-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3
Inventar:
12848037
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FJN3303RTA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
FJN330
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
FJN3303RTA-DG
FJN3303RTACT
FJN3303RTATB
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
MMUN2212LT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
7095
TEILNUMMER
MMUN2212LT1G-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DRC9114E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SSMINI3
DRC5123E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
DRC2144E0L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3