FJNS3202RTA
Hersteller Produktnummer:

FJNS3202RTA

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FJNS3202RTA-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92S

Inventar:

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12839093
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FJNS3202RTA Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92S
Basis-Produktnummer
FJNS32

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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