Hersteller Produktnummer:
FJP5200RTU
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FJP5200RTU-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 250V 17A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Inventar:
12847473
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FJP5200RTU Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
17 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
250 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 800mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
55 @ 1A, 5V
Leistung - Max
80 W
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Basis-Produktnummer
FJP520
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2SC5200N(S1,E,S)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
2SC5200N(S1,E,S)-DG
Einheitspreis
0.86
ERSATZART
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