FJV4111RMTF
Hersteller Produktnummer:

FJV4111RMTF

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FJV4111RMTF-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 40V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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FJV4111RMTF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Basis-Produktnummer
FJV411

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FJV4111RMTF
HTML-Datenblatt
FJV4111RMTF-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
DTB123TKT146
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
14
TEILNUMMER
DTB123TKT146-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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Teilenummer
RN2412TE85LF
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
RN2412TE85LF-DG
Einheitspreis
0.03
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Einheitspreis
0.01
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
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