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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
FPN660
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FPN660-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 60V 3A TO226
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 75MHz 1 W Through Hole TO-226
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12838903
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FPN660 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
450mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
75MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-226
Basis-Produktnummer
FPN6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
FPN660
HTML-Datenblatt
FPN660-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
ZTX951
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
2906
TEILNUMMER
ZTX951-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
Similar
Teilenummer
ZTX751
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
ZTX751-DG
Einheitspreis
0.26
ERSATZART
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Teilenummer
ZTX949
HERSTELLER
Diodes Incorporated
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1883
TEILNUMMER
ZTX949-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
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