Hersteller Produktnummer:
FQA13N50C-F109
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQA13N50C-F109-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12838434
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FQA13N50C-F109 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2055 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
218W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FQA13
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
450
Andere Namen
FQA13N50C_F109
2832-FQA13N50C-F109
FQA13N50C_F109-DG
FQA13N50CF109
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK39J60W,S1VQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
22
TEILNUMMER
TK39J60W,S1VQ-DG
Einheitspreis
5.38
ERSATZART
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