FQA16N25C
Hersteller Produktnummer:

FQA16N25C

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

FQA16N25C-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 17.8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventar:

12849669
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FQA16N25C Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
FQA1

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
450

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

FDC640P_F095

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

onsemi

FQP11N40

MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3

onsemi

FDT86113LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

onsemi

FDP5800

MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3