Hersteller Produktnummer:
FQAF10N80
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQAF10N80-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
12838310
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FQAF10N80 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 3.35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
113W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PF
Paket / Koffer
TO-3P-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQAF1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
360
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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