Hersteller Produktnummer:
FQB12P20TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQB12P20TM-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 200 V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12848729
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FQB12P20TM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
470mOhm @ 5.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB12P20
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FQB12P20TMDKR
FQB12P20TMCT
2156-FQB12P20TM-OS
ONSONSFQB12P20TM
FQB12P20TM-DG
FQB12P20TMTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF9640STRRPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
6065
TEILNUMMER
IRF9640STRRPBF-DG
Einheitspreis
1.42
ERSATZART
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