Hersteller Produktnummer:
FQB50N06TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQB50N06TM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12838326
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FQB50N06TM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1540 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB50N06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FQB50N06TM-DG
FQB50N06TMFSDKR
FQB50N06TMFSCT
2156-FQB50N06TM-OS
FQB50N06TMFSTR
2832-FQB50N06TM
FAIFSCFQB50N06TM
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
HUF75545S3ST
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
6270
TEILNUMMER
HUF75545S3ST-DG
Einheitspreis
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