Hersteller Produktnummer:
FQB55N10TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQB55N10TM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12836715
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FQB55N10TM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.75W (Ta), 155W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB55N10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
2156-FQB55N10TM-OS
FQB55N10TMCT
FQB55N10TMTR
FQB55N10TMDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB80NF10T4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
775
TEILNUMMER
STB80NF10T4-DG
Einheitspreis
1.46
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