Hersteller Produktnummer:
FQB5N90TM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQB5N90TM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 5.4A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12847267
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FQB5N90TM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1550 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB5N90
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FQB5N90TMTR
2832-FQB5N90TM
2156-FQB5N90TM-OS
FQB5N90TM-DG
ONSONSFQB5N90TM
FQB5N90TMDKR
FQB5N90TMCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFA6N120P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
3725
TEILNUMMER
IXFA6N120P-DG
Einheitspreis
5.46
ERSATZART
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