Hersteller Produktnummer:
FQB8N60CTM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQB8N60CTM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12836193
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FQB8N60CTM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1255 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
FQB8N60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
FQB8N60CTM-DG
FQB8N60CTMFSDKR
FQB8N60CTMFSTR
FQB8N60CTMFSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB8NM60D
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TEILNUMMER
STB8NM60D-DG
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