Hersteller Produktnummer:
FQD10N20LTF
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQD10N20LTF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12849164
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FQD10N20LTF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
830 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RCD075N19TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1
TEILNUMMER
RCD075N19TL-DG
Einheitspreis
0.97
ERSATZART
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