Hersteller Produktnummer:
FQD19N10LTM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FQD19N10LTM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
9224 Stück Neu Original Auf Lager
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FQD19N10LTM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
FQD19N10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
ONSONSFQD19N10LTM
2156-FQD19N10LTM-OS
FQD19N10LTMCT
FQD19N10LTM-DG
FQD19N10LTMTR
FQD19N10LTMDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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